北京市中科院半導體研究所

半導體研究所是1956年按照"12年科學發(fā)展遠景規(guī)劃"中"四項緊急措施"開始著手籌建的，是集半導體物理、材料、器件研究及其系統(tǒng)集成應用于一體的國家級半導體科學技術的綜合性研究所，正式成立于1960年。
建所以來，半導體所在我國半導體科技發(fā)展的各個歷史階段都曾做出過突出的貢獻。研制出中國第一只鍺晶體管，硅平面晶體管，固體組件；第一根鍺單晶，硅單晶，砷化鎵單晶；設計制造出第一臺硅單晶爐，區(qū)熔爐……。直接為國家經濟建設和發(fā)展作出了重要貢獻。
目前，所主要研究領域為：
光電子及其集成技術
體、薄膜、微結構半導體材料科學技術
低維量子體系和量子工程、量子器件的基礎研究
半導體人工神經網(wǎng)絡和特種微電子技術。
在國家和中科院產學研結合的號召和指示下，半導體所利用自身的科技優(yōu)勢，獨資或合資創(chuàng)辦了包括海特光電，中科鎵銦半導體，華源科半光電子科技等在內的一批有自主知識產權的高科技公司。