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光刻膠
① 工藝角度普通的光刻膠在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著*加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高*系統(tǒng)分辨率的性能，人們正在研究在*光刻膠的表面覆蓋*反射涂層的新型光刻膠技術(shù)。該技術(shù)的引入，可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復(fù)雜性和光刻成本的增加。② *系統(tǒng)伴隨著新一代*技術(shù)（ngl）的研究與發(fā)展，光刻膠多少錢，為了更好的滿足其所能實(shí)現(xiàn)光刻分辨率的同時(shí)，光刻膠也相應(yīng)發(fā)展。**技術(shù)對光刻膠的性能要求也越來越高。③光刻膠的鋪展如何使光刻膠均勻地，按理想厚度鋪展在器件表面，實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。④光刻膠的材料從光刻膠的材料考慮進(jìn)行改善。
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光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)
1．靈敏度（sensitivity）
靈敏度是衡量光刻膠*速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高，所需的*劑量越小。單位：毫焦/平方厘米或mj/cm2。
2．分辨率（resolution）
區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸（cd，critical dimension）來衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
光刻膠的分辨率是一個(gè)綜合指標(biāo)，影響該指標(biāo)的因素通常有如下3個(gè)方面：
(1) *系統(tǒng)的分辨率。
(2) 光刻膠的對比度、膠厚、相對分子質(zhì)量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。
(3) 前烘、*、顯影、后烘等工藝都會(huì)影響光刻膠的分辨率。
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光刻膠主要用于圖形化工藝
以半導(dǎo)體行業(yè)為例，光刻膠主要用于半導(dǎo)體圖形化工藝。圖形化工藝是半導(dǎo)體制造過程中的工藝。圖形化可以簡單理解為將設(shè)計(jì)的圖像從掩模版轉(zhuǎn)移到晶圓表面合適的位置。
一般來講圖形化主要包括光刻和刻蝕兩大步驟，分別實(shí)現(xiàn)了從掩模版到光刻膠以及從光刻膠到晶圓表面層的兩步圖形轉(zhuǎn)移，流程一般分為十步:1.表面準(zhǔn)備，2.涂膠，光刻膠，3.軟烘焙，4.對準(zhǔn)和*，5.顯影，6.硬烘焙，7.顯影檢查，8.刻蝕，9.去除光刻膠，10.終檢查。
具體來說，在光刻前首先對于晶圓表面進(jìn)行清洗，主要采用相關(guān)的濕*，包括氨水等。
晶圓清洗以后用旋涂法在表面涂覆一層光刻膠并烘干以后傳送到光刻機(jī)里。在掩模版與晶圓進(jìn)行對準(zhǔn)以后，光線透過掩模版把掩模版上的圖形投影在光刻膠上實(shí)現(xiàn)*，這個(gè)過程中主要采用掩模版、光刻膠、光刻膠配套以及相應(yīng)的氣體和濕*。
對*以后的光刻膠進(jìn)行顯影以及再次烘焙并檢查以后，實(shí)現(xiàn)了將圖形從掩模版到光刻膠的次圖形轉(zhuǎn)移。在光刻膠的保護(hù)下，對于晶圓進(jìn)行刻蝕以后剝離光刻膠然后進(jìn)行檢查，實(shí)現(xiàn)了將圖形從光刻膠到晶圓的第二次圖形轉(zhuǎn)移。
目前主流的刻蝕辦法是等離子體干法刻蝕，光刻膠報(bào)價(jià)，主要用到含氟和含體。
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