原裝現(xiàn)貨供應(yīng)-ASEMI-90N10原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

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mos管（mosfet）的發(fā)熱情況：
1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓mos管工作在線(xiàn)性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致mos管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果n-mos做開(kāi)關(guān)，g級(jí)電壓要比電源高幾v，才能完全導(dǎo)通，p-mos則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻*比較大，壓降*，所以u(píng)*i也*，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的忌諱的錯(cuò)誤。
2.頻率太高，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，mos管上的損耗*了，所以發(fā)熱也加大了。
3.沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高，mos管標(biāo)稱(chēng)的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以id小于電流，90n10原裝現(xiàn)貨供應(yīng)，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，10n60原裝現(xiàn)貨供應(yīng)，需要足夠的輔助散熱片。
4.mos管的選型有誤，24n50原裝現(xiàn)貨供應(yīng)，對(duì)功率判斷有誤，mos管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)阻**。
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asemi品牌 25n120 mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管 插件封裝 mosfet
型號(hào)：25n120
封裝：to-247/3p
漏*電流（vds）：25a
漏源電壓（id）：1200v
工作溫度：-55℃~150℃
種類(lèi)：場(chǎng)效應(yīng)晶體管/mosfet
品牌：asemi
市面上常有的一般為n溝道和p溝道，原裝現(xiàn)貨供應(yīng)，詳情參考右側(cè)圖片(p溝道耗盡型mos管)。而p溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
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mos管（mosfet/場(chǎng)效應(yīng)管）的主要參數(shù)：
7. *間電容
·三個(gè)電*之間都存在著*間電容:柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
·cgs和cgd約為1~3pf，cds約在0.1~1pf之間
8. 低頻噪聲系數(shù)nf
·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的?！び捎谒拇嬖?，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)nf來(lái)表示，它的單位為分貝(db)。這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)
·場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙*性三*管的要小
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