等離子化學氣相沉積設備公司-沈陽鵬程有限公司
等離子刻蝕機簡介
等離子刻蝕機,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕,等離子化學氣相沉積設備,是干法刻蝕中比較常見的一種形式,其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體,由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,等離子化學氣相沉積設備報價,電離氣體原子通過電場加速時,會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講,等離子清洗實質上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行干式蝕刻工藝的設備包括反應室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入并與等離子體進行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應,反應的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實際上便是一種反應性等離子工藝。近期的發(fā)展是在反應室的內部安裝成擱架形式,這種設計的是富有彈性的,用戶可以移去架子來配置合適的等離子體的蝕刻方法:反應性等離子體(rie),順流等離子體(downstream),直接等離子體(direction pla*a)。
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化學氣相沉積技術在材料制備中的使用
化學氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜
化學氣相沉積法不但可以對晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助,等離子化學氣相沉積設備廠家,而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無法制備出的一些晶體?;瘜W氣相沉積法常見的使用方式是在某個晶體襯底上生成新的外延單晶層,開始它是用于制備硅的,后來又制備出了外延化合物半導體層。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見(比如制備 w、mo、pt、ir 等)以及個別的化合物單晶薄膜(例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等)。
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化學氣相沉積裝置主要的元件就是反應器。按照反應器結構上的差別,我們可以把化學氣相沉積技術分成開管/封管氣流法兩種類型:
1 封管法這種反應方式是將一定量的反應物質和集體放置于反應器的兩邊,將反應器中抽成真空, 再向其中注入部分輸運氣體,然后再次密封, 再控制反應器兩端的溫度使其有一定差別,它的優(yōu)點是:①能有效夠避免外部污染;②無須持續(xù)抽氣就能使是內部保持真空。
2 開管法這種制備方法的特點是反應氣體混合物能夠隨時補充。廢氣也可以及時排出反應裝置。以加熱方法為區(qū)分,開管氣流法應分為熱壁和冷壁兩種。前者的加熱會讓整個沉積室壁都會因此變熱,所以管壁上同樣會發(fā)生沉積。冷壁式加熱一般會使用感應加熱、通電加熱以及紅外加熱等等。
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